数字射线照相技术（直接与间接平板探测器）
数字射线照相探测器用于代替胶片或计算机射线照相(CR)系统直接获取X射线图像，并分为直接探测器和间接探测器。直接探测器从X射线转换为电子（被测量），而间接探测器首先从X射线转换为可见光，然后再转换为电子（被测量）。
数字探测器也用于荧光透视、介入和移动X射线系统，以代替图像增强系统。
数字射线照相(DR)探测器根据每种面板的基本物理特性分为间接平板或直接平板。间接平板将X射线转换为光子，然后由CCD/CMOS或Si光电二极管和TFT阵列进行测量。直接平板将X射线直接转换为由TFT测量的电子。直接平板通过跳过可见光步骤来实现更高的空间分辨率，可见光步骤会随着光的传播而模糊图像。
第一个图展示了平板探测器的不同类别，其中有间接和直接两类。间接平板进一步分为TFT型和CCD/CMOS型。在图中和比较表中，我们强调了主要区别，即CCD/CMOS类型需要光纤，而TFT类型使用光电二极管阵列。
在接下来的部分中，我们将描述每种探测器生成图像所需的步骤。这些都是平板探测器，但我们将使用小插图说明从X射线相互作用到数字信号的步骤，但我们应该记住，这些相互作用都发生在具有许多相邻探测器元件的平板中（即通常1024×1024探测器元件或更多）。
间接平板通过将X射线转换为：可见光、电荷（即电子）然后转换为数字信号来测量X射线信号。直接平板跳过可见光步骤，将X射线直接转换为电子，然后将电荷数字化。
数字探测器也用于荧光透视、介入和移动X射线系统，以代替图像增强系统。
数字射线照相(DR)探测器根据每种面板的基本物理特性分为间接平板或直接平板。间接平板将X射线转换为光子，然后由CCD/CMOS或Si光电二极管和TFT阵列进行测量。直接平板将X射线直接转换为由TFT测量的电子。直接平板通过跳过可见光步骤来实现更高的空间分辨率，可见光步骤会随着光的传播而模糊图像。
第一个图展示了平板探测器的不同类别，其中有间接和直接两类。间接平板进一步分为TFT型和CCD/CMOS型。在图中和比较表中，我们强调了主要区别，即CCD/CMOS类型需要光纤，而TFT类型使用光电二极管阵列。
在接下来的部分中，我们将描述每种探测器生成图像所需的步骤。这些都是平板探测器，但我们将使用小插图说明从X射线相互作用到数字信号的步骤，但我们应该记住，这些相互作用都发生在具有许多相邻探测器元件的平板中（即通常1024×1024探测器元件或更多）。
| 间接平板探测器(TFT) | 间接平板探测器 (CCD) | 直接平板探测器 | |
| X 射线捕获 | 闪烁体 (CsI,GOS) [转换为光] | 闪烁体 (CsI,GOS) [转换为光] | Se 光电导体 [转换为电子] |
| 聚焦灯 | 不需要 | 光纤 | 不需要 |
| 光充电 | 硅光电二极管 | CCD | 不需要 |
| 电荷存储/读出 | TFT | CCD | TFT |
间接平板通过将X射线转换为：可见光、电荷（即电子）然后转换为数字信号来测量X射线信号。直接平板跳过可见光步骤，将X射线直接转换为电子，然后将电荷数字化。