非晶硅平板探测器工作原理：X线先经荧光介质材料转换成可见光，再由光敏元件将可见光信号转换成电信号，最后将模拟电信号经A/D转换成数字信号。  

     具体原理体现为： 

     曝光前，先使硅表面存储阳离子而产生均一电荷，导致在硅表面产生电子场；  

     曝光期间，在硅内产生电子-空穴对，且自由电子游离到表面，导致在硅表面产生潜在的电荷影像，在每一点上电荷密度与局部X线强度相当。  

     曝光后，X线图像被储存在每一个像素中；  

     半导体转换器读出每一个素，完成模数转换。  

     非晶硅平板探测器优点：  

    转换效率高；  

    动态范围广；  

    空间分辨率高； 

    在低分辨率区X线吸收率高（原因是其原子序数高于非晶硒）；  

   环境适应性强。  

    非晶硅平板探测器缺点： 

   高剂量时DQE不如非晶硒型；  

   因有荧光转换层故存在轻微散射效应；  

   锐利度相对略低于非晶硒型。15628738102